特許
J-GLOBAL ID：200903049889715710
パターン形成方法、マスクおよび露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-414647
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175259
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 被加工基板に所望の微細パターンを形成することのできるパターン形成方法並びにこのパターン形成方法に使用されるマスクおよび露光装置を提供する。【解決手段】 光源10から放射されたVUV光9は、等倍結像光学系11およびマスク8を介してレジストパターン7を照射する。マスク8は、レジストパターン7の線幅方向に、この線幅の0.5倍以上1.0倍以下の寸法の露光マージンを有する開口部を備える。また、マスク8には、VUV光9の照射によるレジストパターン7のシュリンクによって、レジストパターン7と被加工基板の所定領域との重なりマージンが小さくなる部分に遮光部が設けられている。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
配線パターンが形成された半導体基材の上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜の上に化学増幅型のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに真空紫外光を照射する工程と、
前記真空紫外光を照射した後のレジストパターンをマスクとして前記被加工膜をドライエッチングし前記被加工膜のパターンを形成する工程とを有するパターン形成方法であって、
前記真空紫外光を照射する工程は、真空紫外光の照射による前記レジストパターンのシュリンクによって前記レジストパターンと前記配線パターンとの重なりマージンが小さくなる部分に遮光部を有するマスクを介して選択的に真空紫外光を照射する工程である請求項1に記載のパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/027
, G03F7/039
, G03F7/20
H01L21/30 570
, G03F7/039 601
, G03F7/20 521
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025DA34
, 2H025FA17
, 5F046LA18
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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