特許

J-GLOBAL ID：200903098606778070

半導体装置

発明者： 高井 啓次
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343856
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163214
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 テ-プを基板に用いた半導体装置において、当該テ-プを補強するスティフナ-と接着不良箇所無く接着させ、信頼性の高い半導体装置を得る。【解決手段】 配線パタ-ンを設けたテ-プにこれを補強するスティフナ-を接着し、前記テ-プの配線パタ-ンのリ-ド先端部と半導体チップを接続し、前記テ-プの配線パタ-ンに電気的に接続した外部接続端子を設けた半導体装置において、前記テ-プに配線パタ-ンと該配線パタ-ンの間隔が粗な箇所にダミ-パタ-ンを形成している。また、ダミ-パタ-ンはグランドとして使用する。

請求項（抜粋）：

配線パタ-ンを設けたテ-プと、前記テ-プと接着し補強せしめるスティフナ-と、前記テ-プに形成した配線パタ-ンのリ-ド先端部と電気的に接続した半導体チップと、前記配線パタ-ンに接続した外部接続端子を設けた半導体装置において、前記テ-プに配線パタ-ンと該配線パタ-ンの間隔が粗な箇所にダミ-パタ-ンを形成していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/50

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/50 X ,  H01L 23/12 E ,  H01L 23/12 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フィルムキャリア半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-237854   出願人：日本電気株式会社
• 半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-060493   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-159686   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝