特許
J-GLOBAL ID:200903098672322745

半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-140293
公開番号(公開出願番号):特開2003-332518
出願日: 2002年05月15日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 複数の半導体チップを有し、小型化、高速動作化が可能な半導体モジュールを提供する。【解決手段】 半導体モジュールは、導電性の接続部を有する支持基板を有する。第1、第2半導体チップは、それぞれ第1導電型の第1、第2MISトランジスタ構造を有する。第1、第2半導体チップは、第1MISトランジスタのソース、第2MISトランジスタのドレインがそれぞれ裏面に形成される。第1半導体チップはソースが接続部と接触し、第2半導体チップはドレインが接続部と接触するように支持基板上に配設される。接続部を介して第1MISトランジスタのソースと第2MISトランジスタのドレインとが電気的に接続される。支持基板と第1、第2半導体チップとは絶縁性の外囲器により覆われる。外部接続端子は、外囲器から一部が露出され、且つ接続部および第1、第2半導体チップとそれぞれ電気的に接続される。
請求項(抜粋):
第1主面を有し、且つ前記第1主面上に配設された導電性の接続部を有する支持基板と、第1導電型の第1MISトランジスタ構造を有し、且つ前記第1MISトランジスタのソースが裏面に形成され、且つソースが前記接続部と接触するように前記支持基板上に配設される、第1半導体チップと、第1導電型の第2MISトランジスタ構造を有し、且つ前記第2MISトランジスタのドレインが裏面に形成され、且つドレインが前記接続部と接触するように前記支持基板上に配設され、且つ前記接続部を介して前記第2MISトランジスタのドレインが前記第1MISトランジスタのソースと電気的に接続される、第2半導体チップと、前記支持基板と前記第1、第2半導体チップとを覆う絶縁性の外囲器と、前記外囲器から一部が露出され、且つ接続部および第1、第2半導体チップとそれぞれ電気的に接続される接続端子と、を具備することを特徴とする半導体モジュール。
IPC (4件):
H01L 25/04 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/52 ,  H01L 25/18
FI (3件):
H01L 21/60 301 F ,  H01L 25/04 Z ,  H01L 23/52 D
Fターム (1件):
5F044FF08
引用特許:
審査官引用 (4件)
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