集積回路製造に際し高純度銅から成る導体構造を電解形成するための方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤武久 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-595378
公開番号（公開出願番号）：特表2002-535494
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2002年10月22日
要約：

【要約】本発明は、集積回路製造に際し溝2を有する半導体表面(ウェハー)1に、高純度銅から成る導体構造を電解形成するための方法に関する。この方法は次の方法ステップからなる:a.電解析出のために十分な伝導率を得るために、溝2を有する半導体表面1を基礎金属皮膜で全面被覆する、b.上記基礎金属皮膜に均一の膜厚を有する銅皮膜3を、銅析出浴との半導体の接触による電解金属析出方法で、全面析出し、その際上記銅析出浴は、少なくとも一つの銅イオン源、銅皮膜の物理化学的特性を向上するために少なくとも一つの添加物並びに第一鉄化合物及び/又は第二鉄化合物を含み、またその際半導体と上記浴に不溶性で上記浴と接触する大きさの変わらない対向電極との間に電圧をかけることにより、半導体1と対向電極間に電流が流れ、銅皮膜3を形成する、という方法ステップである。

請求項（抜粋）：

集積回路製造に際し溝を有する半導体サブストレート表面に、とりわけアスペクト比の大きい溝内に、高純度銅から成る導体構造を電解形成するための方法において、a.電解析出のために十分な伝導率を得るために、溝を有する半導体サブストレート表面を基礎金属皮膜で全面被覆すること;b.上記基礎金属皮膜上に均一の膜厚を有する銅皮膜を、上記半導体サブストレートを銅析出浴に接触させることによる電解金属析出方法で、全面析出すること、 i.その際に上記銅析出浴は、少なくとも一つの銅イオン源、銅皮膜の物理機械的特性を制御するために少なくとも一つの添加物並びにFe(II)化合物及び/又はFe(III)化合物を含んでおり、また ii.その際に半導体サブストレートと上記浴に不溶性で上記浴と接触する寸法的に安定な対向電極との間に電圧をかけることにより、半導体サブストレートと対向電極間に電流が流れるようになっており;c.銅皮膜に構造付与すること;の各方法ステップを有する、集積回路製造に際し溝を有する半導体サブストレート表面に高純度銅から成る導体構造を電解形成するための方法。

IPC (6件)：

C25D 7/12 , C25D 3/38 101 , C25D 5/18 , H01L 21/28 301 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (6件)：

C25D 7/12 , C25D 3/38 101 , C25D 5/18 , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/288 E , H01L 21/88 J

Fターム (46件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023CA04 , 4K023CB05 , 4K023CB07 , 4K023CB28 , 4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024AB15 , 4K024BA09 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024CA07 , 4K024CB06 , 4K024DA09 , 4K024FA07 , 4K024FA08 , 4K024GA16 , 4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH12 , 4M104HH13 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033WW00 , 5F033WW08 , 5F033XX04

引用特許：

審査官引用 (4件)

基板の表面上に金属層を作製する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-140514 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
特公平2-046675
金属層の電解析出のための方法と装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-517724 出願人：アトーテヒドイッチュラントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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