表面電位測定型センサー装置

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237173
公開番号（公開出願番号）：特開2006-058020
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】表面電位計測用の微小電極を用いた簡便にかつ超高感度に被検体中の多成分をセンシングできる表面電位測定型分子センサー装置を提供する。【解決手段】参照電位測定部位と、一種類もしくは複数種のホスト分子がターゲット分子を認識したとき、電位変化をシグナルとして発生させるセンシングユニットと、基板上に結合させるための結合ユニットからなるナノセンサーを基板表面に吸着させたセンサー膜部位、および、電位をモニターするための配線網部位の3要素部位をシリコン基板上に複数配線集積した集積センサー部と、シグナルをコントローラーに送るための被覆導線部と、それを接続するためのアダプター部と、それらがつながる計測コントローラー部からなる表面電位測定型センサー装置。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

参照電位測定部位と、一種類もしくは複数種のホスト分子がターゲット分子を認識したとき、電位変化をシグナルとして発生させるセンシングユニットと、基板上に結合させるための結合ユニットからなるナノセンサーを基板表面に吸着させたセンサー膜部位、および、電位をモニターするための配線網部位の3要素部位をシリコン基板上に複数配線集積した集積センサー部と、シグナルをコントローラーに送るための被覆導線部と、それを接続するためのアダプター部と、それらがつながる計測コントローラー部からなる表面電位測定型センサー装置。

IPC (4件)：

G01N 27/416 , C12M 1/00 , G01N 33/53 , C12N 15/09

FI (7件)：

G01N27/46 341G , C12M1/00 A , G01N33/53 M , G01N27/46 351A , G01N27/46 361 , G01N27/46 386G , C12N15/00 F

Fターム (18件)：

4B024AA11 , 4B024AA19 , 4B024AA20 , 4B024CA01 , 4B024CA11 , 4B024HA14 , 4B029AA07 , 4B029AA21 , 4B029AA23 , 4B029BB01 , 4B029BB15 , 4B029BB20 , 4B029CC01 , 4B029CC03 , 4B029CC08 , 4B029FA01 , 4B029FA12 , 4B029FA15

引用特許：

出願人引用 (2件)

表面プラズモン共鳴法用センサーチップ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-358569 出願人：科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
分子検出ナノセンサー
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-141741 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (6件)

免疫センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-322281 出願人：株式会社サンギ
細胞外記録用一体化複合電極
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-213531 出願人：松下電器産業株式会社
分子ワイヤ注入センサ
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-549533 出願人：キーンセンス・インコーポレーテッド

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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