特許
J-GLOBAL ID:200903098702799436
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-020550
公開番号(公開出願番号):特開平10-223607
出願日: 1997年02月03日
公開日(公表日): 1998年08月21日
要約:
【要約】【課題】 低気圧放電で平行平板プラズマの生成を実現し、高真空雰囲気で大口径試料の均一高速処理ができるプラズマ処理装置を得る。【解決手段】 平行平板電極の上部電極104と下部電極103間に高周波を印加し、電極間にプラズマ110を生成して処理を行う際、電極103,104の周囲に配置されプラズマを発生するプラズマ源107から電極103,104間にプラズマを供給する。プラズマ源は誘導結合型放電や高周波放電やマイクロ波放電によってプラズマを発生させる。
請求項(抜粋):
平行平板電極の上部電極と下部電極間に高周波を印加し、上記電極間でプロセスガスを放電させて処理を行うプラズマ処理装置において、上記電極の周囲に配置されプラズマを生成するプラズマ源を備え、上記プラズマ源から上記電極間に上記プラズマを供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/31
, H05H 1/46
FI (6件):
H01L 21/302 C
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 D
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 M
引用特許:
審査官引用 (12件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-296590
出願人:菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
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特開平1-187824
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-050536
出願人:三菱電機株式会社
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気相化学反応エッチング方法ならびにその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-164907
出願人:富士電機株式会社
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ドライエッチング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-140244
出願人:株式会社東芝
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特開平3-179733
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特開昭63-104423
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特開昭62-031125
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特開平1-187824
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特開平3-179733
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特開昭63-104423
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特開昭62-031125
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