特許

J-GLOBAL ID：200903098720753141

トレンチ構造およびトレンチを含む半導体構造の形成方法

発明者： チャールズ・ダブリュ・コバーガー、サード
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180520
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043438
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体材料を含む半導体基板にトレンチを形成する方法および構造を提供する。【解決手段】 この方法および構造は、半導体基板に接触するパッド酸化物を有することなしに、深いトレンチまたは浅いトレンチを形成するのに用いることができる。深いトレンチを形成する方法は、半導体基板12上に選択エッチング可能層14を形成する。耐侵食性層16を、選択エッチング可能層上に形成する。深いトレンチを、耐侵食性層および選択エッチング可能層を経て半導体基板に、RIEによって形成する。

請求項（抜粋）：

深いトレンチを含む半導体構造を形成する方法であって、半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板上に選択エッチング可能層を形成する工程とを含み、前記選択エッチング可能層は、前記半導体基板に対して選択的にエッチング可能であり、前記選択エッチング可能層と前記半導体基板との間に、パッド酸化物は存在せず、前記選択エッチング可能層上に耐侵食性層を形成する工程を含み、前記耐侵食性層は、前記半導体基板に対して耐侵食性であり、前記耐侵食性層および選択エッチング可能層を経て前記半導体基板へ、深いトレンチを形成する工程を含む、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 21/76 L

Fターム (20件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032BB04 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA28 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74 ,  5F083NA02 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR10 ,  5F083PR15 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235851   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-182623   出願人：富士通株式会社
• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-312823   出願人：株式会社東芝