半導体生産方法及びそのシステム

発明者： , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-054298
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250385
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、様々なプロセス処理装置において半導体ウエハ、TFT基板等の半導体基板に対して異常な付着異物の発生を低減して半導体基板を高歩留まりで生産できるようにした半導体生産方法及びそのシステムを提供することにある。【構成】本発明は、プロセス処理装置に設置された異物検査装置1により、プロセス処理前後のワーク(半導体基板)への付着異物状態を計測し、処理前のワーク付着異物状態と処理後のワーク付着異物状態とを比較して算出されるプロセス処理でのワークへの付着異物状態を着工ロット単位またはウエハ単位で管理し、この管理される着工ロット単位またはワーク単位におけるワークへの付着異物状態に基づいて前記プロセス処理装置へのワークの投入を制御し、この投入が制御されたワークに対してプロセス処理して生産することを特徴とする半導体生産方法である。

請求項（抜粋）：

プロセス処理装置に設置された異物検査装置により、プロセス処理前後のワークへの付着異物状態を計測し、処理前のワーク付着異物状態と処理後のワーク付着異物状態とを比較して算出されるプロセス処理におけるワークへの付着異物状態を管理して前記ワークに対してプロセス処理して生産することを特徴とする半導体生産方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , G01N 21/88 , H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/02 Z , G01N 21/88 E , H01L 21/66 Z , H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体ウエハ等の不良解析方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-085562 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-109750
異物検査方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-098095 出願人：株式会社日立製作所

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