特許

J-GLOBAL ID：200903098770475380

エッチング方法

発明者： 松尾 洋 ,  小田 拓嗣 ,  横山 雄一 ,  前田 清司 ,  井上 慎也 ,  山本 祐司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-355353
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186236
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 パターンの側壁部にて十分な膜厚を有するシリコン窒化膜を得ることができるように改良されたエッチング方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 段差のあるパターン2を覆うように形成されたシリコン窒化膜5を、CH2 F2 とO2 を含む混合ガスのプラズマを用いてドライエッチングする。これによって、パターン2の側壁に、自己整合的に、シリコン窒化膜のサイドウォールスペーサ7を形成する。

請求項（抜粋）：

段差のあるパターンの側壁に、自己整合的に、シリコン窒化膜のサイドウォールスペーサを形成するエッチング方法であって、前記パターンを覆うように形成されたシリコン窒化膜を、CH2 F2 とO2 を含む混合ガスのプラズマを用いてドライエッチングする工程を備えるエッチング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 V ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 681 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

• サイドウォール及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-074846   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-291929
  
• 素子分離領域の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-052397   出願人：シャープ株式会社
• 特公平8-021572
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-288546   出願人：三菱電機株式会社