半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204945
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050957
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【目的】高耐圧MOS トランジスタのドレイン拡散層の耐圧劣化を防止する。【構成】 1)一導電型半導体基板と,該半導体基板に形成された該半導体基板とは逆導電型でMIS トランジスタのドレインまたはソースとなる第1と第2の拡散領域と,該第1と第2の拡散領域の下にこれらの領域と離間して存在する, 該半導体基板と同導電型で, 該半導体基板より不純物濃度の高い第3の拡散層を有する半導体装置,2)半導体基板と同導電型の第4の拡散領域を有する請求項1記載の半導体装置であって,第4の拡散領域は素子分離のフィールド酸化膜の下及び第1と第2の拡散領域の下にこれらの領域と離間してまたは接触して存在し,且つ第3の拡散領域は第4の拡散領域の下に存在する, 3)前記2記載の半導体装置において,第3の拡散領域の不純物濃度は,第4の拡散領域の不純物濃度より高い。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板と,該半導体基板に形成された該半導体基板とは逆導電型でMIS トランジスタのドレインまたはソースとなる第1と第2の拡散領域と,該第1と第2の拡散領域の下にこれらの領域と離間して存在する, 該半導体基板と同導電型で, 該半導体基板より不純物濃度の高い第3の拡散層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/10 681 F , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平1-280358
特開平4-078171
特開平4-218957

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