無電解めっき液、それを用いた無電解めっき方法及びその方法により得られるめっき皮膜

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順 , 大宅一宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-154872
公開番号（公開出願番号）：特開2007-321218
出願日： 2006年06月02日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】有毒性が低く、亜リン酸のような副生成物の影響を受けることなく優れた安定性を有し、且つ良好なめっき皮膜特性を与えることのできる無電解めっき液を提供すること。【解決手段】メタバナジウム酸イオン(VO3-)と、ニッケルイオン及びコバルトイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、金属イオンの錯化剤と、金属イオンの還元剤とを含有することを特徴とする無電解めっき液。メタバナジウム酸イオンの存在により、亜リン酸のような副生成物による影響が低減され、鉛成分を含有する無電解めっき液と同等以上の安定性が確保される。メタバナジウム酸イオンは無電解めっき液中に10〜80mg/L含まれることが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

メタバナジウム酸イオン(VO3-)と、ニッケルイオン及びコバルトイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、金属イオンの錯化剤と、金属イオンの還元剤とを含有することを特徴とする無電解めっき液。

IPC (1件)：

C23C 18/50

FI (1件)：

C23C18/50

Fターム (15件)：

4K022AA02 , 4K022AA04 , 4K022AA13 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA31 , 4K022BA32 , 4K022DA01 , 4K022DB01 , 4K022DB02 , 4K022DB03 , 4K022DB07 , 4K022DB28

引用特許：

出願人引用 (5件)

無電解ニッケルめっき液、及びセラミック電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-000910 出願人：株式会社村田製作所
無電解ニッケルめっき浴組成物およびそれを用いて形成された無電解ニッケル皮膜を有するめっき形成体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-138390 出願人：メルテックス株式会社
無電解ニッケルめっき浴及びそれを用いためっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-360248 出願人：上村工業株式会社

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