ゲート制御式電子放出デバイス及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-500696
公開番号（公開出願番号）：特表2001-506395
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】粒子(26)を絶縁層(24)の上に被着させる工程によって、ゲート制御式電子エミッタを製造する。ゲート材料を絶縁性上の粒子間の空間に被着した後、粒子とその上層をなす材料を除去する。残ったゲート材料はゲート層(28Aまたは48A)を形成し、除去された粒子の位置にはゲート層を貫通するゲート開口部(30または50)が形成される。ゲート材料の一部が粒子の下の空間に入り込むようにゲート材料の被着を行うと、ゲート開口部の側面が傾斜した形状となる。ゲート開口部を通して絶縁層をエッチングすることにより、誘電体開口部(32または52)が形成される。電子放出素子(36Aまたは56A)は、誘電体開口部に形成される。通常この工程は、エミッタ材料をゲート開口部を通して誘電体開口部に導入する過程と、リフトオフ層(34)または電気化学技術を用いて過剰なエミッタ材料を除去する過程とを伴う。

請求項（抜粋）：

電気的に絶縁性の絶縁性層の上に多数の粒子を分散させる分散過程と、少なくとも粒子の間の空間において絶縁性層の上に電気的に非絶縁性のゲート材料を供給するゲート材料供給過程と、前記粒子を除去し、その粒子の上に堆積した任意の材料を実質的に除去する粒子除去過程であって、残ったゲート材料がゲート層を形成し、そのゲート層の除去された粒子の位置において層を貫通するゲート開口部が形成されるようにする、該粒子除去過程と、前記ゲート開口部を通して前記絶縁性層をエッチングし、前記絶縁性層を貫通して前記絶縁性層の下層をなす下側電気的非絶縁性領域に概ね達する対応する誘電体開口部を形成する絶縁性層エッチング過程と、電気的に非絶縁性のエミッタ材料を前記誘電体開口部に導入して、前記下側非絶縁性領域の上に対応する電子放出素子を形成する導入過程であって、前記電子放出素子が前記ゲート開口部を通して外部に露出される、該導入過程とを含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 , H01J 1/304 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界放出型装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-254341 出願人：ソニー株式会社
電界放出デバイスとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-243941 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
特開平4-106834

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