半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203435
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050720
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】高電流増幅率、良好な高周波特性、信頼性に優れた微細寸法のHBTを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ビスベンゾシクロブテン(BCB)をスピンコーティング法によって半導体装置の表面に塗布した後、キュアリングすることによって上記BCBを完全に硬化させることにより、半導体装置の表面を保護するパッシベーション膜10を形成する工程と、前記パッシベーション膜上に前記キュアリング温度より低い温度でシリコン酸化膜11を形成し、該シリコン酸化膜を用いて前記パッシベーション膜を選択的にエッチングすることにより、配線用コンタクトホール14を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

化合物半導体を用いた半導体装置の製造方法において、炭素元素を主骨格とし、かつ、分子構造中にシリコン元素同士の化学結合を含有するワニス状高分子前駆体をスピンコーティング法によって半導体装置の表面に塗布した後、キュアリングすることによって該ワニス状高分子前駆体を完全に硬化させることにより、半導体装置の表面を保護するパッシベーション膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜上に前記キュアリング温度より低い温度でシリコン酸化膜(SiO2)を形成し、該シリコン酸化膜を用いて前記パッシベーション膜を選択的にエッチングすることにより、配線用コンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-070663 出願人：富士通株式会社
特開平4-206638
特開平4-167596

全件表示

前のページに戻る