特許
J-GLOBAL ID：200903098957443708

磁気検出素子及びその製造方法

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について

, 
梅津 英治

梅津 英治 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (2件)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-184052
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031547
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】狭トラック幅化を進めたときに、フリー磁性層の磁化を変動しやすくして、磁界検出感度を向上させることのできる磁気検出素子を提供する。【解決手段】トラック幅方向寸法W1を有する第1フリー磁性層29上に、第1フリー磁性層29より大きなトラック幅方向寸法W2を有する第2フリー磁性層30を積層する。フリー磁性層31のトラック幅領域Aの膜厚taをフリー磁性層31の両側領域B,Bの膜厚tbより厚くして、フリー磁性層31の両側領域B,Bで発生する静磁界に由来するフリー磁性層31のトラック幅領域A内の磁束密度を減少させることができ、フリー磁性層31のトラック幅領域Aに発生する不感領域を低減することができるので、磁界検出感度が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下から第1反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層を有する多層膜が設けられ、 前記フリー磁性層は、所定のトラック幅方向寸法を有する第1フリー磁性層と、前記第1フリー磁性層上に形成され、前記第1フリー磁性層より大きなトラック幅方向寸法を有する第2フリー磁性層を有するものであり、前記フリー磁性層の磁化方向を一方向にそろえるための第2反強磁性層が前記第2フリー磁性層の上層に形成されており、また、前記多層膜の両側部には一対の電極層が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (5件)：
H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 R
Fターム (9件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA05 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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