特許
J-GLOBAL ID：200903058543775782
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236287
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050011
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、(S/N)比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。【解決手段】 縦バイアス層2bにより印加される磁界方向において、フリー層3bの長さを固定層5の長さよりも長くし、固定層5と縦バイアス層2bとの間の距離を保ったまま、フリー層3bが縦バイアス層2bの近傍に配置する。
請求項（抜粋）：
下部導電層と、この下部導電層上に設けられ印加される磁界によって磁化方向が変化するフリー層と、このフリー層上に設けられた非磁性層と、この非磁性層上に設けられ磁化方向が固定された固定層と、前記下部導電層上に設けられ前記フリー層に磁界を印加する縦バイアス層と、を有し、前記フリー層は前記縦バイアス層により印加される磁界の方向における長さが前記固定層の長さよりも長く、前記非磁性体の電気抵抗値変化を検出するセンス電流が前記非磁性層に実質的に垂直に流れることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Fターム (6件)：
5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA08
, 5D034BB08
, 5D034CA04
, 5D034CA08
