半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243722
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087348
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】平坦な配線層を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】フィールド酸化膜36の上には下地層41が形成されている。下地層41を覆うように、ポリシリコン層44が配置されている。ポリシリコン層44の上には、層間膜49が配置されている。層間膜49の上には、配線層55が配置されている。配線層55は、層間膜49の開口部分において、ポリシリコン層44と接続されている。層間膜49の開口端(内周部)49aは、下地層41の外周部41aよりも大きく、外側に位置している。また、下地層41のポリシリコン層38の膜厚t1と、ポリシリコン層44の上に残された層間膜49の膜厚t2とがほぼ等しい。このため、配線層55の凹凸が少なくほぼ平坦となっている。

請求項（抜粋）：

基板に形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層の上に形成された第1の配線層と、を備えた半導体装置において、第1の絶縁層の上に配置され、所定形状の外周部を有する第1の下地層と、第1の下地層および第1の絶縁層の上に配置された第2の下地層と、第2の下地層の上に中抜き状に配置され、第1の下地層の外周部より外側に位置する内周部を有する第2の絶縁層と、を備えるとともに、第2の下地層および第2の絶縁層の上に、前記第1の配線層を配置したこと、を特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 T , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-090719 出願人：宮城沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-275341 出願人：日本電気株式会社
特開平3-220764

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