特許
J-GLOBAL ID：200903052410120009
バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268873
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213711
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 バイポーラトランジスタの動作領域の放熱性を向上し、熱抵抗の低減を図り、高出力で効率の良いバイポーラトランジスタを得る。【解決手段】 エミッタ電極7に熱的および電気的に繋がっているエミッタエアブリッジ4のもう一方の端を半絶縁基板11上のエミッタ配線1に繋ぎ、このエミッタ配線1をベース配線2、コレクタ配線3等の他の配線の例えば下部から電気的接触なしに引き出し、動作領域から離れた広い領域に大面積に設ける。このような構造を有することにより、素子内で発生した熱を非常に効率よく基板11側に逃がすことができ、熱抵抗の低減が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたエミッタ層、ベース層、コレクタ層およびエミッタ電極、ベース電極、コレクタ電極およびそれぞれの配線を備え、上記エミッタ配線を上記エミッタ電極、ベース電極およびコレクタ電極が形成された動作領域から離れた空き領域に引き出して広範囲に設け、このエミッタ配線の一部を外部入力用電極と接続してエミッタ接地動作させるようにしたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 23/34
H01L 29/72
, H01L 23/34 A
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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