結晶方位の制御されたFCC金属及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸岡政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358173
公開番号（公開出願番号）：特開平10-195609
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【課題】結晶方位が(100)優先方位に制御されているほか、スパッタリングターゲット用材料要求される諸特性兼備したFCC金属およびその製造法の提供。【解決手段】スパッタリングターゲット用FCC金属はスパッタレートの確保を重視する場合、特に結晶方位が(100)優先方位であることが望まれる。これらFCC金属の中ではCuマトリックスを有するものがエレクトロマイグレーションに優れ、Cuの重度は6N以上が好ましいこと、また膜の均一性の点から平均粒径は200μm以下がよいことが判明するとともに、このような(100)優先方位からなるFCC金属を製造するためには、最終熱処理は再結晶をともなわない歪み取り焼鈍を施す必要があり、最終加工にはクロス圧延を施すことが必要であり。特定の最終前加熱処理も必要である等の製造条件が解明されている。

請求項（抜粋）：

X線回折法で測定される結晶の(111)面の積分強度I(111) に対する(200)面の積分強度I(200) の比が、式:I(200) /I(111) ≧4.6の関係を満たす比の値を有していることを特徴とする(100)優先方位を持つFCC金属。

IPC (11件)：

C22F 1/08 , C22C 9/00 , C22F 1/00 606 , C22F 1/00 613 , C22F 1/00 683 , C22F 1/00 685 , C22F 1/00 686 , C22F 1/00 691 , C22F 1/00 , C22F 1/00 694 , C23C 14/34

FI (11件)：

C22F 1/08 A , C22C 9/00 , C22F 1/00 606 , C22F 1/00 613 , C22F 1/00 683 , C22F 1/00 685 Z , C22F 1/00 686 B , C22F 1/00 691 B , C22F 1/00 691 C , C22F 1/00 694 A , C23C 14/34 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

機能性Cu皮膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-084580 出願人：本田技研工業株式会社
金属薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032225 出願人：日本電気株式会社
特開平4-229626

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