フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物及びフォトレジストパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：荒船博司 , 荒船良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193804
公開番号（公開出願番号）：特開2005-113118
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】LERが改善されたパターンを得るため透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度の高いフォトレジスト用重合体を提供する。さらに、前記重合体を含むフォトレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明はフォトレジスト重合体及びフォトレジスト組成物に関し、より詳しくはフォトレジスト単量体に用いられる下記式(1)の化合物と、これを含むフォトレジスト重合体及びこの重合体を含む本発明のフォトレジスト組成物は 193nm及び157nm波長で透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度が高いので、LERを改善させることができる。【化1】前記式で、R、R ́、R ́ ́、R1、R2、R3、R4、R5及びmは明細書に定義した通りである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記式(1)の化合物で示されるフォトレジスト単量体。

IPC (4件)：

C08F28/06 , C07D327/04 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (4件)：

C08F28/06 , C07D327/04 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (26件)：

2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AA10 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4C023AA01 , 4J100AD07Q , 4J100AQ28P , 4J100BA02P , 4J100BB07P , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100GC35 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (6件)

4級塩化合物、メチン化合物及びメチン化合物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-075167 出願人：富士写真フイルム株式会社
官能化オレフィンモノマーを含有するポリマー
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-536973 出願人：イーストマンケミカルカンパニー
ケトン又はアルデヒドとフェノールからのポリフェノールの製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-142455 出願人：ザダウケミカルカンパニー

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