半導体電子デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-027765
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188252
出願日： 2008年02月07日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：

【課題】耐圧性が高く反りが小さい半導体電子デバイスを提供すること。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した2層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備え、前記バッファ層は、前記各第一半導体層または前記各第二半導体層の厚さが積層方向に向かって減少するように形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した2層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備え、前記バッファ層は、前記各第一半導体層または前記各第二半導体層の厚さが積層方向に向かって減少するように形成されていることを特徴とする半導体電子デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L21/205

Fターム (28件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF06 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102HC01 , 5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-248735 出願人：サンケン電気株式会社
半導体電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-193241 出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-088973 出願人：日本電気株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-223322 出願人：三洋電機株式会社

前のページに戻る