特許
J-GLOBAL ID：200903009166210235
半導体電子デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-193241
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088426
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】異種基板上のバッファ層の結晶性を向上させた窒化物系化合物半導体を有する半導体電子デバイスを提供する。【解決手段】窒化物系化合物半導体を有する半導体電子デバイスにおいて、基板10上に窒化物系化合物半導体からなるバッファ層20及び半導体動作層30を順次積層してなり、前記バッファ層20は、第1の層22と第2の層23が積層された複合層を1層以上有し、第1の層22を構成する結晶材料の格子定数と第2の層23を構成する結晶材料の格子定数が0.2%以上の差を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層と、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層とを順次積層した半導体電子デバイスにおいて、
前記バッファ層は、第1の層と第2の層が積層された複合層を1層以上有し、前記第1の層と前記第2の層との各格子定数の差は、0.2%以上であることを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA00
, 5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ03
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102HC01
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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