特許
J-GLOBAL ID：200903099054558432
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038550
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243621
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】強誘電体キャパシタを有する半導体装置に関し、キャパシタの隣に形成されるコンタクトホールの位置合わせマージンを小さくすること。【解決手段】第1絶縁膜8上に形成された強誘電体キャパシタQ1 の上面と側面を覆うキャパシタ保護膜16,18と、キャパシタ保護膜16,18及び第1絶縁膜8の上に形成された第2絶縁膜19で強誘電体キャパシタQ1 の側面にキャパシタ保護膜16,18を介して隣接して形成されたホール19aと、ホール19a内に形成された導電性プラグ21とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された第1の不純物拡散領域と、前記半導体基板の上方に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、且つ下部電極、強誘電体膜、上部電極を有するキャパシタと、前記キャパシタの上面と側面を覆い、前記第1の絶縁膜とは異なる材料からなる絶縁性のキャパシタ保護膜と、前記キャパシタ保護膜及び前記第1の絶縁膜の上に形成され且つ前記キャパシタ保護膜に対して選択的にエッチングできる材料からなる第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜に形成され且つ前記キャパシタ保護膜を挟んで前記キャパシタの側面に隣接する第1のホールと、前記第1のホール内に形成されて前記第1の不純物拡散領域に電気的に接続される第1の導電性プラグとを有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (29件)：
5F083FR02
, 5F083GA09
, 5F083JA02
, 5F083JA05
, 5F083JA06
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA53
, 5F083JA56
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083PR03
, 5F083PR06
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR23
, 5F083PR29
, 5F083PR33
, 5F083PR34
