特許

J-GLOBAL ID：200903099055839141

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 山本 剛之 ,  小路 元 ,  渡辺 孝幸 ,  藤井 卓也 ,  小林 宏彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346842
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174389
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】埋込構造の半導体レーザに関し、活性層と電流ブロック層との距離を狭くかつ制御性よく実現すること。【解決手段】第1導電型不純物を含む化合物半導体よりなりメサ状の突起を有する第1クラッド層22と、突起の上にストライプ状に形成され、かつ第1クラッド層22の上面に対して70度以上且つ90度以下の角度で傾斜する側面を有する活性層23と、突起の両側に形成されて第2導電型不純物を含む埋込層27と、活性層23の側面を上側に延長させた仮想面に接する一端部を有し、さらに該一端部から下側に延び且つ第1クラッド層の上面に対してほぼ55度の角度で傾斜する第1の面を有して埋込層27の上に形成された第1導電型不純物を含有する電流ブロック層28と、電流ブロック層28と活性層23の上に形成されて第2導電型不純物を含む第2クラッド層24,29とを有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型不純物を含む化合物半導体よりなりメサ形状の突起を有する第1クラッド層と、前記突起の上にストライプ状に形成され、かつ前記第1クラッド層の上面に対して70度以上且つ90度以下の角度で傾斜する側面を有する活性層と、前記突起の両側に形成されて前記第1導電型不純物と異なる第2導電型不純物を含む埋込層と、前記活性層の側面を上側に延長させた仮想面に接する一端部を有し、さらに該一端部から下側に延び且つ前記第1クラッド層の前記上面に対してほぼ55度の角度で傾斜する第1の面を有して前記埋込層の上に形成された第1導電型不純物を含有する電流ブロック層と、前記電流ブロック層と前記活性層の上に形成されて第2導電型不純物を含む第2クラッド層とを有することを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (7件)：

5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-122685
  
• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-102083   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置,及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062413   出願人：三菱電機株式会社
• 埋込型半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-061016   出願人：富士通株式会社