埋込型半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061016
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264878
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】電流ブロック層とクラッド層との界面に形成されるpn接合を流れるリーク電流を抑制することができる埋込型半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【構成】第1導電型の半導体層、活性層、及び第2導電型の半導体層がこの順番に積層された積層構造を含むメサ構造体、及びメサ構造体の側面に連続し、メサ構造体外方へ延在する第1導電型の半導体表面を有する半導体基板を準備する工程と、メサ構造体の側面及び半導体表面を覆うように第2導電型の半導体電流ブロック層をエピタキシャル成長させる工程とを有し、エピタキシャル成長させる工程は、半導体電流ブロック層のメサ構造体の側面に沿う領域の第2導電型不純物濃度が、半導体表面に沿う領域のそれの0.5〜2.5倍となる条件で半導体電流ブロック層をエピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層、活性層、及び第2導電型の半導体層がこの順番に積層された積層構造を含むメサ構造体、及び該メサ構造体の側面に連続し、該メサ構造体外方へ延在する第1導電型の半導体表面を有する半導体基板を準備する工程と、前記メサ構造体の側面及び前記半導体表面を覆うように第2導電型の半導体電流ブロック層をエピタキシャル成長させる工程とを有し、前記エピタキシャル成長させる工程は、前記半導体電流ブロック層の前記メサ構造体の側面に沿う領域の第2導電型不純物濃度が、前記半導体表面に沿う領域のそれの0.5〜2.5倍となる条件で前記半導体電流ブロック層をエピタキシャル成長させる半導体レーザ装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-271083 出願人：株式会社東芝
特開昭62-066694
特開昭61-050389

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