特許
J-GLOBAL ID：200903099072739711

半導体装置の配線形成方法

発明者：
金 奇南

金 奇南 について

, 
具 本宰

具 本宰 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224684
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058771
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の配線形成方法を提供する。【解決手段】 本発明は、キャパシタの上部電極膜、キャパシタ誘電膜、そしてキャパシタの下部電極膜が順次にエッチングされてキャパシタが形成され、同時に上部電極膜パターン及び下部電極膜パターンが形成される。下部電極膜パターンと電気的に接続される第1配線が形成され、同時に隣接した下部電極膜パターンを連結する第2配線が形成される。キャパシタの上部電極と電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクトが形成され、同時に第1配線と上部電極膜パターンとを連結する第3配線、第1配線と電気的に接続される第4配線、そして隣接した上部電極膜パターンを連結する第5配線が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1絶縁層を貫いて半導体基板と電気的に接続されるコンタクトプラグを形成する段階と、 前記第1絶縁層及びコンタクトプラグ上に第1導電膜、キャパシタ誘電体膜、そして第2導電膜を順次に形成する段階と、前記第2導電膜、キャパシタ誘電体膜、そして第1導電膜を順次にエッチングしてキャパシタ構造物を形成し、同時に前記第1導電膜の上部表面が露出される時まで前記第2導電膜及び誘電膜をエッチングして第1導電膜パターンを形成する段階と、前記キャパシタ構造物の中少なくとも一つは前記コンタクトプラグと電気的に接続され、前記キャパシタ構造物及び第1導電膜パターンを含んで第1絶縁層上に第2絶縁層を形成する段階と、前記第1導電膜パターンの一部が露出されるように前記第2絶縁層をエッチングして第1コンタクトホールを形成する段階と、前記第1コンタクトホールを通じて前記第1導電膜パターンと電気的に接続される第1配線を形成し、同時に隣接した第1導電膜パターンが電気的に接続されるようにする第2配線を形成する段階と、前記第1配線、第2配線、そして第2絶縁層上に第3絶縁層を形成する段階と、 前記第1配線の一部が露出されるように第3絶縁層をエッチングして第2コンタクトホールを形成し、同時に前記キャパシタ構造物の第2導電膜の一部が露出されるように第3絶縁層及び第2絶縁層を順次にエッチングして第3コンタクトホールを形成する段階と、前記第3コンタクトホールを通じて第2導電膜と電気的に接続されるキャパシタの上部電極コンタクトを形成し、同時に前記第2コンタクトホールと第3コンタクトホールとを通じて第1配線とキャパシタ構造物の第2導電膜が電気的に接続される第3配線、前記第2コンタクトホールを通じて第1配線と電気的に接続される第4配線、そして第3コンタクトホールを通じて隣接したキャパシタ構造物の第2導電膜が相互電気的に接続される第5配線を各々形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
IPC (5件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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