半導体集積回路装置、半導体集積回路装置のデータ読み出し禁止方法および集積回路型記憶媒体システム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349036
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199265
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】記憶しているデータを保護する動作を行える半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】ビット線電位の供給点(D)と、ソース電位の供給点(S)との間に直列に接続される、しきい値可変型のメモリ素子(M1〜Mn)を含むメモリセル(5)を有し、メモリセル(5)からデータを読み出す時、読み出し選択されたメモリセル(5)に含まれているメモリ素子(M1〜Mn)の少なくとも1つに、このメモリ素子(M1)を非導通状態とする電圧を供給し、データの読み出しを禁止する。

請求項（抜粋）：

ビット線電位の供給点とソース電位の供給点との間に直列に接続される、しきい値可変型のメモリ素子を含むメモリセルを有し、前記メモリセルからデータを読み出す時、読み出し選択されたメモリセルに含まれている前記メモリ素子の少なくとも1つに、このメモリ素子を非導通状態とする電圧を供給し、前記データの読み出しを禁止する動作を行うモードを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04

FI (2件)：

G11C 17/00 601 P , G11C 17/00 622 E

引用特許：

審査官引用 (7件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-281193 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042359 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-230444

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