熱型赤外線センサおよび熱型赤外線アレイ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033899
公開番号（公開出願番号）：特開2000-230857
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】熱型赤外線センサの開口率を大きくし、また熱型赤外線アレイ素子の製造歩留まりを高くする。【解決手段】半導体基板31に空洞32を設け、半導体基板31の空洞32上に8本の梁部38と本体部39とを有するダイアフラム33を形成し、ダイアフラム33の梁部38上にp型ポリSi34とn型ポリSi35とを形成し、p型ポリSi34とn型ポリSi35とを交互に配線36で接続し、ダイアフラム33上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層にパッシベーション膜を形成し、パッシベーション膜上にアモルファスSiを介して金黒からなる熱吸収層37を形成し、ダイアフラム33上に4個の赤外線検知部41を形成する。

請求項（抜粋）：

基板に空洞を設け、上記空洞上にダイアフラムを形成し、上記ダイアフラム上に赤外線検知部を形成した熱型赤外線センサにおいて、上記ダイアフラム上に複数の赤外線検知部を形成したことを特徴とする熱型赤外線センサ。

IPC (5件)：

G01J 1/02 , G01J 5/02 , H01L 35/32 , H01L 37/00 , H01L 37/02

FI (6件)：

G01J 1/02 C , G01J 1/02 Q , G01J 5/02 P , H01L 35/32 A , H01L 37/00 , H01L 37/02

Fターム (12件)：

2G065AB02 , 2G065BA11 , 2G065BA12 , 2G065BA13 , 2G065BA34 , 2G065BC03 , 2G065DA20 , 2G066BA01 , 2G066BA04 , 2G066BA08 , 2G066BA09 , 2G066BA55

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-158583
特開平3-248477
フローティング部を有する半導体装置及びフローティング単結晶薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-209622 出願人：木村光照, 株式会社ニコン

全件表示

前のページに戻る