特許
J-GLOBAL ID：200903099147786109

半導体装置の製造方法

発明者：
山口 真司

山口 真司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235964
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリング法によりAl電極パッド上の表面酸化膜を除去後、Al電極パッド上へ直接Niメッキを行い突起電極の形成を行う場合、スパッタリング法によりAl電極パッド上の表面酸化膜の除去後直接、不活性雰囲気中へ移動し、メッキ工程を行わなければならなく、大掛かりな装置が必要となる。【解決手段】 Al電極パッド2上の表面酸化膜3を、出力500W〜1000W、処理時間5分で、スパッタリング法により除去した後、ジンケート工程により、Al電極パッド2上にZn膜5を形成する。次に、Ni又はNi合金のZnとの置換反応により、Al電極パッド2上にNi又はNi合金突起電極6を形成形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、配線層及び能動素子を有し、配線層及び能動素子が保護膜によって保護されており、上記配線層と電気的に接続されたAl電極パッド上の保護膜開口部に、外部との接続の為の突起電極が設けられた半導体装置の製造方法において、所定の出力でスパッタリングを行い、上記Al電極パッド上に形成された表面酸化膜を除去する工程と、上記Al電極パッド表面に第1の置換反応により、第1金属膜を形成する工程と、該第1金属膜と第2の置換反応により第2金属膜を析出させた後、自己触媒反応により、無電解メッキが行われ、第2金属膜からなる突起電極を形成する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/288 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/288 N ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 T
Fターム (16件)：
4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP28 ,  5F033PP35 ,  5F033QQ94 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)

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