特許
J-GLOBAL ID：200903099152100738

薄膜トランジスタの製造方法。

発明者：
芳之内 淳

芳之内 淳 について


出願人/特許権者：
石川島播磨重工業株式会社

石川島播磨重工業株式会社 について


代理人 (1件)： 島村 芳明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121462
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315794
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成される薄膜トランジスタの品質向上を図る。【解決手段】 絶縁性基板1上に多結晶シリコン膜2を形成する第1工程と、上記多結晶シリコン膜を島状にエッチングする第2工程と、酸化窒素ガスを主成分とし圧力が5〜50気圧の雰囲気で上記多結晶シリコン膜の表面層を酸化して多結晶シリコン膜上に窒化酸化シリコン膜の絶縁膜4を形成する第3工程と、上記絶縁膜4上にゲート電極6を形成する第4工程とを有する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に多結晶シリコン膜を形成する第1工程と、上記多結晶シリコン膜を島状にエッチングする第2工程と、酸化窒素ガスを主成分とし圧力が5〜50気圧の雰囲気で上記多結晶シリコン膜の表面層を酸化して多結晶シリコン膜上に窒化酸化シリコン膜の絶縁膜を形成する第3工程と、上記絶縁膜上にゲート電極を形成する第4工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/318
FI (4件)：
H01L 29/78 617 V ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U
Fターム (64件)：
5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BF53 ,  5F058BF58 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA17 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP08 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (3件)

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