液晶表示装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-293234
公開番号（公開出願番号）：特開平8-152650
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】液晶容量の電圧による変化の影響を少なくすると共に、TFTの充電能力を十分確保し、さらに、液晶表示装置の開口率を高くする。【構成】 TFT10の半導体層21が移動度10cm2/V・S以上の多結晶シリコンからなり、画素電極11と走査線22とが層間絶縁膜を間に挟んで一部対向するように形成され、層間絶縁膜の画素電極11と走査線22との対向部分に設けたスルーホール31に高誘電体薄膜41を充填して補助容量が形成されており、補助容量の容量値が液晶容量の容量値の10倍以上とされている。

請求項（抜粋）：

間に液晶を挟持する一対の基板の一方に、該液晶に電圧を印加するための画素電極および該画素電極をスイッチングするための薄膜トランジスタがマトリクス状に設けられ、該薄膜トランジスタを走査するための複数の走査線と、該薄膜トランジスタを介して該画素電極に映像信号を供給する複数のデータ線とが互いに交差し、かつ、絶縁分離して設けられ、該一対の基板の他方に対向電極が形成されている液晶表示装置において、該薄膜トランジスタの半導体層が移動度10cm2/V・S以上の多結晶シリコンからなり、かつ、該画素電極と該走査線または補助容量線とが層間絶縁膜を間に挟んで一部対向するように形成され、該層間絶縁膜の該画素電極と該走査線または該補助容量線との対向部分に設けたスルーホールに高誘電体薄膜を充填して補助容量が形成されており、該補助容量の容量値が該画素電極と該対向電極との間に形成される液晶容量の容量値の10倍以上とされている液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 618 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

液晶パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-233705 出願人：富士通株式会社
アクテイブマトリクス型液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-217426 出願人：富士通株式会社
薄膜トランジスタとその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-332703 出願人：株式会社日立製作所

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