特許

J-GLOBAL ID：200903099198003346

有機物基板におけるビア処理方法及びビア形成方法

発明者： 田中 勝 ,  板谷 良平
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 井上 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185277
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009435
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 ビアホールの底部に露出する配線層の表面に対して密着性の良いワイヤリングを可能にすること。【解決手段】 レーザドリル本体13によって基板W上の必要箇所にすべてのビアホールを形成した段階で、ノズル25eから水素ラジカルを吐出させると、水素ラジカルが各ビアホールの底部を還元するので、ドリル加工中のデスミヤに際して酸化されたCu等の金属導電層の表面を還元・純化して、金属表面とすることができる。これにより、ビアホール底部に露出した金属導電層上にワイヤリング用の金属導電膜を形成する次の成膜工程では、高い付着性を有し低い接続抵抗の接続を得ることができる。

請求項（抜粋）：

有機物からなる絶縁層と金属からなる導電層とを接合した基板の前記絶縁層側にレーザ光を用いて前記導電層が露出するように形成したビアホールを処理するためのビア処理方法であって、前記ビアホールの内部及び周辺に付着したスミヤを除去するデスミヤ工程と、前記ビアホールの内部に露出する前記導電層の表面をプラズマ化した還元雰囲気下で還元する還元工程とを備えるビア処理方法。

IPC (8件)：

H05K 3/42 610 ,  H05K 3/42 ,  B23K 26/00 330 ,  B23K 26/16 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46 ,  B23K 26/12 ,  B23K101:42

FI (10件)：

H05K 3/42 610 A ,  H05K 3/42 610 B ,  B23K 26/00 330 ,  B23K 26/16 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X ,  H05K 3/46 Y ,  B23K 26/12 ,  B23K101:42

Fターム (30件)：

4E068AF01 ,  4E068CG01 ,  4E068CH05 ,  4E068CJ01 ,  4E068CJ04 ,  4E068DA11 ,  5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB11 ,  5E317CC31 ,  5E317CD01 ,  5E317CD11 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG11 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346FF02 ,  5E346FF03 ,  5E346FF12 ,  5E346GG01 ,  5E346GG15 ,  5E346GG16 ,  5E346GG17 ,  5E346HH07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 多層基板のスミア除去装置およびスミア除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-207412   出願人：松下電器産業株式会社
• 回路用基板のプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032489   出願人：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
• 特開平3-210984
  
• 配線板の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093231   出願人：日立化成工業株式会社
• 特開平3-210984