特許
J-GLOBAL ID：200903087992764124

多層基板のスミア除去装置およびスミア除去方法

発明者：
吉田 尚人

吉田 尚人 について

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森迫 勇

森迫 勇 について

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土師 宏

土師 宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207412
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040881
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 接続抵抗の増加がなく回路特性の信頼性が高い多層基板のスミア除去装置およびスミア除去方法を提供することを目的とする。【解決手段】 多層基板のインナービアホールの底部に残留するスミアをプラズマ処理により除去するスミア除去装置において、層基板1を載置する下部電極13と、下部電極13に対向して配設され接地された上部電極17と、高周波電圧を印加する高周波電源16と、真空排気部14およびこの真空チャンバ12内に酸素プラズマ発生用、還元性のプラズマ発生用のガスをそれぞれ供給する第1のガス供給部15Aおよび第2のガス供給部15Bと、真空チャンバ12に供給されるガスの種類を切り換えるバルブ18A、18Bを備え、スミア除去用の酸素プラズマによるプラズマ処理後に還元性のプラズマによるプラズマ処理を行い、スミア除去時に発生した銅膜上の酸化膜を除去するようにした。
請求項（抜粋）：
多層基板に形成されたインナービアホールの底部の導電膜上に残留するスミアをプラズマ処理により除去する多層基板のスミア除去装置であって、真空チャンバと、この真空チャンバ内に露呈した上面が多層基板を載置する載置部を形成する下部電極と、この下部電極の上面に平行に対向して前記真空チャンバ内に配設され接地された上部電極と、前記下部電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気部と、この真空チャンバ内に異なる種類のプラズマ発生用のガスを供給する第1のガス供給部および第2のガス供給部と、この第1のガス供給部および第2のガス供給部から前記真空チャンバに供給されるガスの種類を切り換えるガス切り換え手段とを備えたことを特徴とする多層基板のスミア除去装置。
FI (2件)：
H05K 3/46 X ,  H05K 3/46 N
Fターム (20件)：
5E346AA06 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346CC09 ,  5E346DD03 ,  5E346DD22 ,  5E346DD32 ,  5E346EE33 ,  5E346FF03 ,  5E346FF07 ,  5E346GG01 ,  5E346GG15 ,  5E346GG16 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346HH07 ,  5E346HH33 ,  5E346HH40
引用特許：
審査官引用 (6件)
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