気相成長装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木戸一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277442
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】良質で均一性に優れた薄膜、特に、二成分系以上の化合物半導体薄膜を再現性よく得ることができる気相成長装置を提供する。【解決手段】基板4より上流側の反応管1内に基板面と平行に配設した仕切板6の先端部両側端に切欠部10を設ける。

請求項（抜粋）：

薄膜を形成する基板より上流側の反応管内に、基板面と平行な仕切板を配設した気相成長装置において、前記仕切板の先端部両側端に切欠部を設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D

Fターム (24件)：

4K030AA11 , 4K030BA54 , 4K030BA55 , 4K030BA56 , 4K030BA57 , 4K030EA05 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB21 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC17 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB02 , 5F045BB04 , 5F045DP04 , 5F045EF14

引用特許：

審査官引用 (7件)

気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-025505 出願人：日本酸素株式会社
特開昭63-263718
特開昭56-003308

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