特許
J-GLOBAL ID：200903099271106442
基板メッキ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024169
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217207
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 基板の処理面の全体にわたってメッキ液の円滑な流れを形成することにより、膜厚の面内均一性を高めるとともにメッキ液の節約ができ、しかもシード層の抵抗による影響を小さくすることができる。【解決手段】 メッキ槽17のメッキ液Lを供給してメッキ処理を施す基板メッキ装置であり、基板Wの処理面Wsに対して近接し、かつ、処理面Ws側の面が基板Wの処理面に対してほぼ平行に配設された三次元フィルタ27を備え、この三次元フィルタ27を介してメッキ液Lを供給する。流路抵抗が小さい三次元フィルタ27の上面との隙間を通ることになるので、メッキ液Lはその隙間を通って基板Wの中央部から周辺部に円滑に流れ、膜厚の面内均一性を高められる。
請求項（抜粋）：
メッキ液を基板の処理面に対して供給することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、基板の処理面に対して近接し、かつ、処理面側の面が基板の処理面に対してほぼ平行に配設された三次元フィルタを備え、前記三次元フィルタを介してメッキ液を供給することを特徴とする基板メッキ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/288 E
, C25D 7/12
4K024AA09
, 4K024AB01
, 4K024BA11
, 4K024BB12
, 4K024BC06
, 4K024CA10
, 4K024CB02
, 4K024CB16
, 4K024CB21
, 4K024GA16
, 4M104BB04
, 4M104DD52
, 4M104HH16
, 4M104HH20
