集積回路マザ-ボ-ド

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373931
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251532
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】基板に関連する損失の改善。【解決手段】この発明は多孔質シリコンの層(112)又はバルクのシリコン基板材料(110)の中に作られた多孔質シリコンの領域(130)を用いて、基板(100)の比抵抗を増加し、こうしてマザーボード(200)又はチップ(230)の上に直接的に受動部品を集積するのに適するようにすると共に、低損失、誘電率の低い特性の為に高周波の用途に役立つ改良された基板(100)に関する。インダクタ(214)、抵抗(212)及びキャパシタ(216)のような1つ又は更に多くの受動部品を、多孔質シリコン領域(130)の上方でデバイス(140)の上に集積することができる。デバイスの高い比抵抗により、無線周波数に於ける損失が、純粋なシリコン基板に比べて、比較的に少ないので、普通のウェーハ製造プロセスを用いて、1個のプラットフォームの上に集積するのに理想的である。

請求項（抜粋）：

上面及び下面を持つシリコン基板層と、前記シリコン基板層の一部分を占めていて、前記シリコン基板の上面に対して略プレーナである多孔質シリコン領域と、前記シリコン基板層の下面と向い合った前記一部分の周りで前記多孔質シリコン領域に集積された少なくとも1つの受動部品デバイスとを有する集積回路マザーボード。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 23/14

FI (4件)：

H01L 27/04 L , H01L 23/14 S , H01L 27/04 C , H01L 27/04 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

インダクタを有する半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-283277 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
集積回路のための埋設絶縁層を有する半導体基板
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-525928 出願人：アイハーピーゲーエムベーハーイノヴェーションズフォーパフォーマンスマイクロエレクトロニクスインスティテュートフュアイノヴェーティブマイクロエレクトロニクス
特開昭52-153680

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