特許
J-GLOBAL ID:200903099303812530

半導体レーザ制御装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-067668
公開番号(公開出願番号):特開2002-270951
出願日: 2001年03月09日
公開日(公表日): 2002年09月20日
要約:
【要約】【課題】半導体レーザから理想の光出力を得ることができ、高速、高精度、かつ簡易な構成を実現することのできる半導体レーザ制御装置を提供することを目的とする。【解決手段】上記の問題点を解決するために、半導体レーザと、半導体レーザの光出力を検知する受光部と、受光部によって検知した半導体レーザの光出力に比例した受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように半導体レーザの順方向電流を制御する比較増幅部とからなる光・電気負帰還ループを有し、光・電気負帰還ループは受光信号の温度特性を補償する温度特性補償部を有することにより、受光素子の温度による影響を受けない高精度な半導体レーザ制御装置を実現することができる。
請求項(抜粋):
半導体レーザと、半導体レーザの光出力を検知する受光部と、前記受光部によって検知した前記半導体レーザの光出力に比例した受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レーザの順方向電流を制御する比較増幅部とからなる光・電気負帰還ループを有し、前記光・電気負帰還ループは、前記受光信号の温度特性を補償する温度特性補償部を有することを特徴とする半導体レーザ制御装置。
IPC (2件):
H01S 5/0683 ,  H01S 5/062
FI (2件):
H01S 5/0683 ,  H01S 5/062
Fターム (8件):
5F073BA02 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073EA14 ,  5F073GA12 ,  5F073GA24 ,  5F073GA25 ,  5F073GA38
引用特許:
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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