特許
J-GLOBAL ID：200903099317704285

光半導体装置及びその製造方法

発明者：
平沢 宏希

平沢 宏希 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229024
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053332
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 チップ構造をした光結合素子の小型化を図るとともに、受光素子での受光効率を改善して結合効率を向上し、かつ高密度実装を可能にした光半導体装置を提供する。【解決手段】 多層構造をした容器状の基板10と、基板10の開口に固着されるキャップ20とで構成されるパッケージと、基板10内にマウントされた発光素子2と、キャップ20の内面にマウントされて発光素子2に対向配置される受光素子3とを備えて構成され、パッケージはその一つの面にのみ複数の実装用電極111が露出した状態で配設され、発光素子2と受光素子3は、基板10およびキャップ20に形成される導電層によってそれぞれ実装用電極111に電気接続される。
請求項（抜粋）：
多層構造をした容器状の基板と、前記基板の開口に固着されるキャップとで構成されるパッケージと、前記基板内にマウントされた発光または受光素子と、前記キャップの内面にマウントされて前記発光又は受光素子に対向配置される受光又は発光素子とを備えて構成され、前記パッケージはその一つの面にのみ複数の実装用電極が露出した状態で配設され、前記発光素子と受光素子は、前記基板およびキャップに形成される導電層によってそれぞれ前記実装用電極に電気接続されていることを特徴とする光半導体装置。
FI (2件)：
H01L 31/12 C ,  H01L 31/12 E
Fターム (9件)：
5F089AB03 ,  5F089AC11 ,  5F089AC16 ,  5F089CA03 ,  5F089CA12 ,  5F089DA01 ,  5F089EA01 ,  5F089EA03 ,  5F089EA06
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 光結合装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081932   出願人：シャープ株式会社
  • 光結合装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324558   出願人：シャープ株式会社
  • 光結合素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-035012   出願人：シャープ株式会社
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審査官引用 (2件)

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