特許
J-GLOBAL ID：200903099320315800

化合物半導体素子の製造方法

発明者：
松葉 聡

松葉 聡 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  池田 成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-025879
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217375
出願日： 2004年02月02日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 AlxGa1-xN基板の平坦性を高め、良好な結晶性を有する窒化物系化合物半導体層を基板上に成長させる。【解決手段】 AlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を有する化合物半導体素子を製造する。第1加熱工程、第2加熱工程および成長工程が順次に実施される。第1加熱工程は、少なくともH2ガスを含む第1ガス雰囲気下で基板を加熱する。第2加熱工程は、第1加熱工程の後、少なくともNH3を含む第2ガス雰囲気下で基板を加熱する。成長工程は、第2加熱工程の後、基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。第1および第2加熱工程によって基板表面が平坦化される。これに応じて、この基板表面上にエピタキシャル成長される窒化物系化合物半導体層の結晶状態および表面モフォロジーが改善される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
AlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を有する化合物半導体素子を製造する方法であって、 少なくともH2ガスを含む第1ガス雰囲気下で前記AlxGa1-xN単結晶基板を加熱する第1加熱工程と、 前記第1加熱工程の後に、少なくともNH3を含む第2ガス雰囲気下で前記AlxGa1-xN単結晶基板を加熱する第2加熱工程と、 前記第2加熱工程の後に、前記AlxGa1-xN単結晶基板上に前記窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と を備える化合物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (16件)：
5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF05 ,  5F045BB12 ,  5F045DP04 ,  5F045HA03 ,  5F045HA06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM