特許
J-GLOBAL ID：200903009721806270
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-036618
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220168
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】フリップチップ型の半導体発光素子のp型半導体側のコンタクト層上に直接厚膜の正電極を形成した場合、コンタクト層との接触面における接触抵抗の値は全体的には大きくなり、接触抵抗の値の分布はこの接触面全体に渡り斑になる。このため、この接触面を通る電流の面密度にムラが生じ、電流は接触抵抗の小さな箇所に集中するため活性層の発光光度にも空間的なムラが発生する。【解決手段】コンタクト層に接続する光を反射する厚膜正電極を形成する前に、コンタクト層の上に発光ムラの発生を抑止するための薄膜金属層を形成し、この薄膜金属層を熱処理した後に厚膜正電極を形成した。これにより、コンタクト層と薄膜金属層との間の接触抵抗が接触面全体に渡って低く、一様で、且つ、オーミック性の良いものとなり、発光光度にムラがなく、高光度、低駆動電圧の発光素子を得ることができた。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、p型半導体側のコンタクト層と前記コンタクト層に接続する光を反射する厚膜正電極との間に発光ムラの発生を抑止するための薄膜金属層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
引用特許：
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