特許
J-GLOBAL ID：200903075804813018

半導体発光素子の製法

発明者：
筒井 毅

筒井 毅 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076793
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277801
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 チッ化ガリウム系化合物半導体を積層する半導体発光素子のp形層の活性化を低い温度で、しかも確実に行うことができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 基板1上に少なくともn形層3とp形層5を含み、発光層を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層した半導体層のp形層5の活性化処理を行う場合に、p形層5の成長後、p形層5に酸化性ガスを照射することにより、または前記p形層の成長後のいずれかの工程で、p形層5を成長した基板を酸素プラズマの雰囲気に晒すことにより、p形層内のH原子を引き出してp形層5を活性化させる。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn形層とp形層を含み、発光層を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層した半導体層のp形層の活性化処理を行う半導体発光素子の製法であって、前記p形層の成長後該p形層に酸化性ガスを照射することにより、該p形層内のH原子を引き出してp形層を活性化させることを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
Fターム (22件)：
5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA05
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)

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