特許

J-GLOBAL ID：200903099356068760

半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法およびランプ

発明者： 福永 修大 ,  大澤 弘
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112012
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287845
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】紫外光を効率よく出力できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】p型半導体層14を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記p型半導体層14上に設けられた透光性電極15とを備え、前記透光性電極15が、結晶化されたIZO膜を含むものである半導体発光素子1とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型半導体層を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記p型半導体層上に設けられた透光性電極とを備え、 前記透光性電極が、結晶化されたIZO膜を含むものであることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• EL発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-129876   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-358993   出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (3件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-067647   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-430220   出願人：ローム株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-358412   出願人：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社