特許
J-GLOBAL ID：200903086993848066
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡田 賢治
, 今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430220
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266258
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】 従来用いられているITO電極膜は発光した光の透過率は高いものの、ITO電極膜とp型GaN系半導体層との間でショットキー型コンタクトとなり、電流が均一に流れなくなる。本発明は、GaN系半導体発光素子の出射側においてITO電極膜に替わる透明電極を形成し、GaN系半導体発光素子の発光効率、出射効率を向上させることを目的とする。【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、n型GaN系半導体層とp型GaN系半導体層とで挟まれたGaN系半導体からなる発光層を含む半導体発光素子であって、Ga又はBがドープされたMgzZn1-zO(0≦z<1)電極膜を備える半導体発光素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型GaN系半導体層とp型GaN系半導体層とで挟まれたGaN系半導体からなる発光層を含む半導体発光素子であって、GaがドープされたMgzZn1-zO(0≦z<1)電極膜を備える半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA21
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA88
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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