特許
J-GLOBAL ID：200903062000764168

半導体発光素子

発明者：
千田 昌伸

千田 昌伸 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-358993
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123501
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 GaN系半導体発光素子の電極に透光性電極を用いる場合、透光性電極の抵抗値とGaN系半導体層との密着性を改善し、光度を向上し、透光性電極とGaN系半導体層との接触抵抗に対する発光素子の駆動電圧を抑制し、透光性電極の吸光度を低減して出射効率を向上するGaN系半導体発光素子を提供する。【構成】 p型GaNコンタクト層106の表面にITOよりなる透光性電極107を形成し、エッチングにより透光性電極107に、p型GaNコンタクト層106まで達する複数の貫通孔110を形成し、更に、透光性電極107の外周をエッチングしてp型GaNコンタクト層106を露出し、露出したp型GaNコンタクト層106の上に高反射率を有する接着性金属層であるロジウム(Rh)層108を形成し、ロジウム(Rh)層108と透光性電極107上にパッド電極109を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型GaN系半導体層とp型GaN系半導体層を備えたGaN系半導体発光素子において、 前記p型GaN系半導体層上に形成された透光性電極を備え、 前記透光性電極は、前記p型GaN系半導体層に達する光出射用の複数の貫通孔を有することを特徴とするGaN系半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41
FI (4件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 P
Fターム (16件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F041AA03 ,  5F041AA08 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057235   出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (13件)
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