特許
J-GLOBAL ID：200903099360441646

半導体装置及びその製造方法

発明者：
後藤 康之

後藤 康之 について

, 
塚田 峰春

塚田 峰春 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279950
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102543
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、より特性の優れた誘電体膜を用いて電荷蓄積用キャパシタを構成する。【解決手段】 トランジスタを設けた半導体基板1上に設ける電荷保持用キャパシタ6を構成する絶縁性の電荷保持層4を、単結晶の誘電体膜或いは主たる部分が単結晶の誘電体膜のいずれかによって構成する。
請求項（抜粋）：
トランジスタを設けた半導体基板上に電荷保持用キャパシタを設けた半導体装置において、前記電荷保持用キャパシタを構成する絶縁性の電荷保持層が、単結晶の誘電体膜或いは主たる部分が単結晶の誘電体膜のいずれかによって構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451
FI (2件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651
Fターム (21件)：
5F083AD21 ,  5F083AD54 ,  5F083AD60 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083KA05 ,  5F083KA19 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (5件)
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