特許
J-GLOBAL ID：200903099363365169

非対称に被覆された導体を有するMRAM

発明者：
マノイ・ケイ・バータッチャーヤ

マノイ・ケイ・バータッチャーヤ について

, 
トーマス・シー・アンソニー

トーマス・シー・アンソニー について


出願人/特許権者：
ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. について


代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379703
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165661
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】磁気メモリセルのデータ層の切替え特性に悪影響を及ぼすことなく、切替え磁界を高めること。【解決手段】磁界に反応するメモリセル(10)の非対称に被覆された導体構造が開示される。メモリセル(10)を横切る導体(11、15)の一方又は双方は、非対称なクラッディング(13、17)を含み、そのクラッディングは導体(11、15)の上面(11t、15t)と、対向する側面(11s、15s)の一部分のみを覆い、そのため対向する側面(11s、15s)のクラッディング(13、17)は、対向する側面(11s、15s)に沿ってメモリセル(10)のデータ層(2)から離れる方向に後退している。クラッディング(13、17)は、オフセット距離(D1、D2又はT1、T2)だけ後退している。非対称なクラッディング(13、17)は、閉磁路の磁気抵抗(Rg)を増加させ、結果としてデータ層(2)との磁気結合を低減する。【選択図】図18
請求項（抜粋）：
磁界に反応するメモリセル(10)を含む磁気メモリデバイスのための非対称なクラッディング構造であって、 長さ方向(LD)において前記メモリセル(10)を横切り、上面(11t)と、2つの側面(11s)と、前記メモリセル(10)に面するように配置された底面(11b)とを含む第1の導体(11)と、 前記上面(11t)と、前記2つの側面(11s)の一部分のみとに接続され、前記2つの側面(11s)に沿って後退し、かつ第1の距離(D1)だけ前記メモリセル(10)からオフセットされた第1の一対の極(13p)を含む第1の非対称なクラッディング(13)と、および 幅方向(WD)において前記メモリセル(10)を横切り、上面(15t)と、2つの側面(15s)と、前記メモリセル(10)に面するように配置された底面(15b)とを含む第2の導体(15)とを含む、非対称なクラッディング構造。
IPC (2件)：
H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (10件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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