特許
J-GLOBAL ID：200903015202593383
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-118215
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318366
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 MRAMのTMR素子に書き込み磁界を効率よく作用させる。【解決手段】 TMR素子23の直下には、書き込みワード線20Bが配置される。書き込みワード線20Bは、X方向に延び、その側面及び下面は、高透磁率を有するヨーク材25Bにより覆われている。ヨーク材25Bは、書き込みワード線20Bの上面よりも下部に窪んでいる。TMR素子23の直上には、データ選択線(読み出し/書き込みビット線)24が配置される。データ選択線24は、X方向に交差するY方向に延び、その上面は、高透磁率を有するヨーク材27により覆われている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上部に形成され、磁気抵抗効果を利用してデータを記憶するメモリセルと、前記メモリセルの直下に配置され、第1方向に延びる第1書き込み線と、前記メモリセルの直上に配置され、前記第1方向に交差する第2方向に延びる第2書き込み線と、前記第1書き込み線の側面を覆い、前記第1書き込み線の上面よりも下部に窪んでいる第1ヨーク材とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA32
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083KA18
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR06
, 5F083PR39
, 5F083PR40
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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