特許
J-GLOBAL ID：200903099375923817

薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いた磁気ディスク装置

発明者：
中山 正俊

中山 正俊 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (2件)： 倉内 基弘 ,  風間 弘志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-272860
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047090
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】大容量磁気記録媒体では記録密度に対応できるMR薄膜磁気ヘッドを保護膜の膜厚を40Å程度以下に薄くしてスペーシングロスを大幅に減じることにより高密度化に対応すること。【解決手段】磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、少なくとも前記ヘッドが記録媒体に接触する面に原子比で表して(A)式(i)SiCXHYOZNWFTBUPV(ここにX=0.5〜26、Y=0.5〜13、Z=0〜6、W=0〜6、T=0〜6、U=0〜1、及びV=0〜1)及び式(ii)SiHYOZNWFTBUPV(ここにY=0.0001〜0.7、Z=0〜6、W=0〜6、T=0〜6、U=0〜1、及びV=0〜1)で表される組成を有する薄膜から選択した下層と、(B)式CHaObNcFdBePf(ここにa=0〜0.7、b=0〜1、c=0〜1、d=0〜1、e=0〜1、及びf=0〜1)で表される組成を有するダイヤモンド様薄膜の上層とが形成され、下層と上層の全厚が40Å以下である薄膜ヘッド、その製造法、及びそれを用いた磁気ヘッド装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子を含むヘッド部を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも前記ヘッド部の記録媒体に対向する面が原子比で表して (A)式(i)SiCXHYOZNWFTBUPV (ここにX=0.5〜26、Y=0.5〜13、Z=0〜6、W=0〜6、T=0〜6、U=0〜1、及びV=0〜1) 及び式(ii)SiHYOZNWFTBUPV (ここにY=0.0001〜0.7、Z=0〜6、W=0〜6、T=0〜6、U=0〜1、及びV=0〜1) で表される組成を有する薄膜から選択した下層と、 (B)式CHaObNcFdBePf (ここにa=0〜0.7、b=0〜1、c=0〜1、d=0〜1、e=0〜1、及びf=0〜1) で表される組成を有するダイヤモンド様薄膜の上層とが形成されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (4件)：
G11B5/31 ,  C23C16/27 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42
FI (4件)：
G11B5/31 H ,  C23C16/27 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42
Fターム (18件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BA36 ,  4K030BA48 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA20 ,  5D033BA62 ,  5D033BB43 ,  5D033CA03 ,  5D033DA02 ,  5D033DA31
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)

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