特許

J-GLOBAL ID：200903099392271505

半導体装置の作製方法

発明者： 荒井 康行 ,  前川 慎志
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104391
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373858
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】 金属元素を用いる熱結晶化法によって得られる結晶質半導体膜の結晶粒の粒径を小さくすることで、デバイスの活性領域における結晶粒の数を一様にする。【解決手段】 本発明は、半導体膜を成膜する際の温度および前記半導体膜の結晶化の際の温度よりも低温で作製された絶縁膜上に形成された半導体膜に、金属元素を利用した熱結晶化法を行なうことを特徴とする。半導体膜の結晶化工程における熱処理によって、半導体膜に対して前記絶縁膜に応力を働かせ、前記半導体膜に歪みを生じさせる。前記歪みを生じさせることで、前記半導体膜の表面エネルギーや化学ポテンシャルが変化し、自然核の生成を促進する。そのため、結晶核の生成密度が増加し、結晶粒の粒径を小さくする事が可能となる。

請求項（抜粋）：

第1の温度で絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第2の温度で半導体膜を形成し、前記半導体膜に金属元素を添加し、前記金属元素が添加された前記半導体膜に第3の温度で熱処理を行って結晶質半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であって、前記第3の温度は前記第1の温度および前記第2の温度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (112件)：

2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA49 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092NA01 ,  2H092NA11 ,  2H092NA13 ,  2H092NA21 ,  2H092NA24 ,  2H092NA29 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP36 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-197114   出願人：シチズン時計株式会社
• 結晶珪素半導体作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-346701   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-176127   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-302130   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162705   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所