特許
J-GLOBAL ID：200903099405621780

Si微細加工方法、及び該Si微細加工方法によって作製された微細素子

発明者：
岡本 康平

岡本 康平 について

, 
矢野 亨治

矢野 亨治 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312269
公開番号（公開出願番号）：特開2003-117900
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：
【要約】【課題】Siの細線や微粒子などの微細領域の形状やサイズを容易に制御することができ、単一または複数のSi微細領域を高精度に容易に形成することが可能となるSi微細加工方法、及び該Si微細加工方法によって作製された微細素子を提供する。【解決手段】導電性を有する探針を絶縁層上に半導体のSi層を形成したSOI基板に対向するように配置し、前記Si層に対して該探針を相対走査させ、該SOI基板のSi層の厚さ方向に亙って酸化された任意形状の微細な酸化Si領域を形成し、該酸化Si領域によってSi微細領域を構成するようにする。
請求項（抜粋）：
少なくとも先端が導電性を有する探針を、被加工物である絶縁層上に半導体のSi層を形成したSOI基板に対向するように配置し、該探針を該被加工物に対して相対走査して、該被加工物に微細加工を施す微細加工方法であって、前記被加工物に微細加工を施すに際し、前記探針と前記被加工物であるSOI基板のSi層との間に加工に必要な所定の電圧を印加しながら、該Si層表面上の加工開始位置から、所定の方向に該Si層に対して該探針を相対走査させ、該Si層に該Si層の厚さ方向に亙って酸化された任意形状の微細な酸化Si領域を形成する工程を有し、該工程を用いてSi微細領域を作製することを特徴とするSi微細加工方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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