特許
J-GLOBAL ID：200903099460539082
トンネル磁気抵抗効果型磁界検出素子及びその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133410
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322714
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】高い磁気抵抗変化率を維持しつつ、電気抵抗が低く信号対雑音比(S/N)の大きいトンネル磁気抵抗効果型磁界検出素子を実現する。【解決手段】第1の強磁性層3の上に貴金属層4を設け、この上に非常に薄いアルミニウム等の金属膜を形成し、それ酸化して絶縁層5を形成する。アルミニウムの酸化処理では、酸化反応が貴金属層4で停止し、その下の強磁性層3には及ばない。このため、絶縁層5の厚さが上記アルミニウム等の金属膜が酸化された層に限定される。さらに、この方法では、下地の強磁性層3が酸化されないので、予め厚さの定められた金属膜を確実に酸化して高品質の絶縁層することができる。このため、トンネル効果における電子に対するポテンシャル障壁を高く、かつ薄くすることができ、高い磁気抵抗変化率と低い電気抵抗が両立して実現される。
請求項（抜粋）：
互いに磁化反転する磁界に差のある二つの強磁性金属層の間に絶縁層が存在してトンネル接合を形成するトンネル磁気抵抗効果素子と、前記二つの強磁性金属層間に電圧を印加する電極端子とを備えた磁界検出素子において、一方の強磁性金属層と絶縁層との間に、Au,Pt,Pd,Rh,Ir及びRuの貴金属元素群から選択される少なくとも1種類の元素もしくはこれらの元素の合金からなる貴金属層を設けたことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型磁界検出素子。
Fターム (7件)：
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA17
, 5D034BA18
, 5D034BA21
, 5D034CA04
, 5D034DA07
